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20VP 沟道增强型 MOS 场效应管--TC4953

来源: 2019/6/28 浏览量:55 关键词: 20VP 沟道增强型 MOS 场效应管--TC4953

VDS= -20V

九州体育官网RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3A = 62mΩ@TYP

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.5A = 88mΩ@TYP

20VP 沟道增强型 MOS 场效应管--TC4953

 

特点


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